株式会社イオンテクノセンターでは、以下の通り、 「応用物理学会　先進パワー半導体分科会」にて 出展及びポスター発表いたします。 【開催期日】2016年11月8日（火）～11月9日（水） 【開催場所】つくば国際会議場　【小間番号】29 【ポスター発表】 　　　・Alイオン注入したSiCデバイスの電気的特性 　　　　2016年11月8日（火）　13:00～　多目的ホール 　　　・イオン注入ダメージを付加したSiC N+注入層の電気的特性評価 　　　　2016年11月8日（火）　13:00～　多目的ホール 皆様のご来場、お待ち申し上げております。