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【イオンテクノセンター】応用物理学会 先進パワー半導体分科会出展について

株式会社イオンテクノセンターでは、以下の通り、
「応用物理学会 先進パワー半導体分科会」にて
出展及びポスター発表いたします。
【開催期日】2016年11月8日(火)~11月9日(水)
【開催場所】つくば国際会議場 【小間番号】29
【ポスター発表】
   ・Alイオン注入したSiCデバイスの電気的特性
    2016年11月8日(火) 13:00~ 多目的ホール
   ・イオン注入ダメージを付加したSiC N+注入層の電気的特性評価
    2016年11月8日(火) 13:00~ 多目的ホール
皆様のご来場、お待ち申し上げております。